电子器件所能承受静电破坏的静电电压

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电子器件所能承受静电破坏的静电电压

以下是一些参考资料中给出的数据：

器件类型	静电破坏电压(V)	器件类型	静电破坏电压(V)
VMoS	30～1800	OP-AMP	190～2500
M0SFET	100～200	JEFT	140～1000
GaAsFET	100～300	SCL	680～1000
PROM	100	STTL	300～2500
CMoS	250～2000	DTL	380～7000
HMOS	50～500	肖特基二极管	300～3000
E／DMOS	200～1000	双极型晶体管	380～7000
ECL	300～2500	石英压电晶体	＜10000

从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。

要想获得某个元器件的所能能承受的静电电压要通过试验才能测得。按照国际国内标准，一般使用静电放电敏感度测试仪：

电子元器件静电敏感度的试验主要用EST883 静电放电模拟器试验，而用电子元器件组装成组件、整机的电子设备静电试验则用EST802静电放电发生器试验

不同的标准有不同的要求和不同的试验模型。如果要想在短时间内熟悉这些标准并掌握度试验，请参加我们组织的静电培训与咨询，您将与国际国内著名的静电专家面对面交流机会，从而解决您的实际问题。

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